طراحی، شبیه سازی و ساخت یک آنتن میکرواستریپی جدید با قابلیت کنترل چند باند فرکانسی :پایان نامه ارشد برق مخابرات
طراحی، شبیه سازی و ساخت یک آنتن میکرواستریپی جدید با قابلیت کنترل چند باند فرکانسی :پایان نامه ارشد برق مخابرات
پایان نامه ای که به شما همراهان صمیمی فروشگاه مسترداک معرفی میگردد از سری پایان نامه های جدید رشته برق مخابرات و با عنوان طراحی، شبیه سازی و ساخت یک آنتن میکرواستریپی جدید با قابلیت کنترل چند باند فرکانسی در ۱۰۶ صفحه با فرمت Word (قابل ویرایش) در مقطع کارشناسی ارشد تهیه و نگارش شده است. امیدواریم مورد توجه کاربران سایت و دانشجویان عزیز مقاطع تحصیلات تکمیلی رشته های جذاب مهندسی برق قرار گیرد.
چکیده طراحی، شبیه سازی و ساخت یک آنتن میکرواستریپی جدید با قابلیت کنترل چند باند فرکانسی :
در این پایاننامه، یک آنتن میکرواستریپی پچ با تغییراتی بسیار موثر در صفحه زمین و بخش تشعشعی آن جهت افزایش کارآیی، ایجاد حالات متنوع از پاسخ فرکانسی و امکان کنترل این حالات مورد مطالعه قرار میگیرد. تغییرات اعمال شده بر روی این آنتن باعث ایجاد یک ساختار جدید از آنتنهای میکرواستریپی شده که فرمتی شبیه آنتن پچ میکرواستریپی و عملکردی شبه تک قطبی دارد. طراحی ساختار ارائه شده در بخش اول از یک آنتن پچ میکرواستریپی شروع شده است. ابعاد آنتن برابر ۳۴ ×۲۰ میلیمترمربع میباشد. برای دستیابی به نتایج مطلوب، صفحه زمین و پچ تشعشعی به طور قابل توجه تغییر یافتهاند. این تغییرات در مرحله اول شامل اعمال یک جفت اسلات Uشکل بر روی صفحه زمین است. برای نخستین بار، یک جفت از شکافهای Uشکل مقابل به هم (قائده آنها روبروی هم) در صفحه زمین قرار گرفتهاند. این شکافها نقش یک رزونانس کننده موثر را بازی میکنند که با توجه به موقعیت و ابعاد آنها، فرکانس رزونانس تعیین میگردد. سپس یک اسلات با شکل ترکیبی بر روی پچ تشعشعی ایجاد میگردد. شبیه سازی پارامتری بر روی پارامترهای تاثیر گذار جهت بهینه کردن عملکرد، مورد بررسی قرار گرفته است. با در نظر گرفتن این اصلاحات، دو باند وسیع، ۹۸/۳ -۳۸/۱ گیگا هرتز و ۲/۶ – ۱۵/۵ گیگا هرتز پوشش داده شده اند. در بخش دوم طراحی آنتن، یک اسلات بسیار کوچک در قسمت خاصی از صفحه زمین اضافه شده است. این اسلات نقش سوئیچ را در آنتن ایفا میکند، لذا پاسخ های فرکانسی مختلف مانند حالتهای تک باندی یا چند باندی و همچنین باند باریک و یا باند پهن در کل باند فرکانسی ۶-۵/۱ گیگاهرتز قابل دستیابی میباشند. در این بخش نیز مکان اسلات برای عملکرد بهتر، بررسی و بهینه شده است.
آنتنهای میکرواستریپ، تعريف و ساختار آن
تعریف آنتن میکرواستریپ
مفهوم تشعشع کنندههای میکرواستریپ برای اولین بار توسط Deschamps در اواخر سال ۱۹۵۳ مطرح و اولین آنتن عملی درسال۱۹۷۰ساخته شد. از آن زمان به بعد تحقیقات وسیعی روی آنتنهای میکرواستریپ مختلف انجام شد. یک آنتن میکرواستریپ در ساده ترین نوع پیکربندی، همانطور که در شکل۱-۱ نشان داده شده است، شامل یک عایق با ثابت دی الکتریک کمتر از ۱۰ ( ) است که در یک طرف آن، صفحه زمین و در طرف دیگر آن، صفحه تشعشعی قرارگرفته است. جنس صفحه هادی تشعشعی عموما از طلا و مس می باشد. این هادی شکل های متفاوتی میتواند داشته باشد ولی معمولا شکلهایی مورد استفاده قرار میگیرند که انتظار میرود عملکرد مناسبی داشته باشند و بتوان آنها را به راحتی مورد تحلیل قرار داد. انواع مختلف عایقها، ثابت دی الکتریک و تانژانت تلفات متفاوتی دارند. به طور ایدهال در مبحث آنتن، ثابت دی الکتریک عایق برای افزایش میدانهای پراکندگی و تشعشع کننده باید کمتر از ۵/۲ باشد [۱].
مزايا و معايب آنتنهاي ميكرواستريپ
آنتنهای میکرواستریپ مزایای متعددی نسبت به آنتنهای مرسوم مایکروویو دارند که باعث به کارگیری آنها در رنج وسیع فرکانسی از ۱۰۰مگاهرتز تا ۱۰۰گیگا هرتز شده است که بعضی از این مزایا عبارتند از :
۱) داشتن وزن و حجم كم و ساختار صفحه اي با ضخامت كم
۲) امكان ساخت بصورت خیلی ارزان برای تولید انبوه
۳) سادگي ساخت يكپارچه با MIC ها روي يك زيرلايه
۴) امكان داشتن پلاريزاسيون خطي و يا دايروي با روشهای تغذیه آسان
۵) امكان طراحي براي حالت دو فركانسي و دو پلاريزاسيون
۶) خطوط تغذیه و شبکه های تطبیق بطور همزمان با ساختار آنتن ساخته میشود.
آنتنهاي میكرو استريپ با وجود داشتن اين مزايا دارای معايبي بصورت زير هستند:
۱) پهناي باند باريك و مسائل مرتبط با خطاي ساخت
۲) بهره كمتر
۳) تلفات اهمی زیاد در ساختار تغذیه آرایه ها
۴) تشعشع به صورت نیم صفحه
۵) داشتن ساختار پیچیده تغذیه برای آرایه ها
۶) داشتن خلوص پلاريزاسيون[۱] ضعيف
۷) تشعشعات فرعی از تغذیه و نقاط اتصال
۸) تحریک موجهای سطحی
۹) قابليتهاي مديريت توان ضعيف
آنتنهاي ميكرواستريپ پهناي باند باريكي در حد ۱ تا ۵ درصد در حالت عادي دارند كه معيار محدود كننده عمده براي كاربردهاي اين آنتنها ميباشد. بيشترين تلاش محققين در اين مقوله صرف افزايش پهناي باند اين آنتنها شده است و پهناي باندهايي تا ۷۰ درصد بدست آمده است [۲] و [۳].
فهرست مطالب
فصل اول آنتنهای میکرواستریپ، تعريف و ساختار آن
- تعریف آنتن میکرواستریپ ۱
- انواع آنتنهای میکرواستریپ ۲
- آنتنهای پچ میکرواستریپ ۳
- آنتنهای دوقطبی میکرواستریپ ۴
- آنتنهای اسلات میکرواستریپ ۴
- آنتنهای میکرواستریپ موج رونده ۵
- کاربردهای آنتنهای میکرواستریپ ۷
- انواع روشهاي تغذيه آنتنهاي ميكرواستريپ ۸
- خط میکرواستریپ ۸
- پروب کواکسیال ۹
- تزویج مجاورتی ۱۰
- تزویج روزنه ای ۱۲
- تغذیه موجبری ۱۳
- روشهای تحلیل آنتن میکرواستریپ ۱۳
- مدل خط انتقال ۱۴
- اثرات لبهاي ۱۴
- تاثیر طول موثر در فرکانس رزونانس ۱۶
- طراحی آنتن میکرواستریپ ۱۷
- مدل محفظه ۱۸
- آرایش ميدانها (مدها)- ۱۹
- چگالي جريانهاي معادل ۲۳
- پارامترهاي مهم در بررسي عملكرد آنتن هاي ميكرواستريپي ۲۷
- پهناي باند فركانسي (امپدانسي) ۲۷
- پترن تشعشعي ۲۸
- سمتگرايي و بهره ۲۸
- امپدانس ورودی درآنتن میکرواستریپ ۲۹
- افزايش پهناي باند آنتنهاي ميكرواستريپ ۳۰
- پارامترهاي مهم در بررسي عملكرد آنتن هاي ميكرواستريپي ۲۷
فصل دوم معرفی آنتنهای اسلات میکرواستریپ و تک قطبی چاپی
- آنتن اسلات ۳۳
- معرفی آنتن اسلات ۳۳
- روشهای تغذیهی آنتنهای اسلات میکرواستریپ ۳۴
- طراحی آنتن اسلات تغذیه شده با خط میکرواستریپ ۳۶
- روشهای پهن باند کردن آنتنهای اسلات میکرو استریپ ۳۶
- معرفی انواع آنتنهای اسلات میکرواستریپ ۳۷
- آنتن اسلات حلقه مربعی ۳۷
- آنتن اسلات حلقوی دایروی ۳۸
- آنتن اسلات باریک شونده ۳۹
- آنتن تک قطبی ۴۰
- معرفی و ساختار آنتن تک قطبی ۴۰
- روشهاي افزايش پهناي باند آنتنهاي تكقطبي چاپي ۴۳
- روشهاي بهبود مشخصات تشعشعي آنتنهاي تكقطبي چاپي ۴۷
- نتیجه گیری ۵۰
فصل سوم انواع آنتنهای ترکیبی تک قطبی- شکافدار(Monopole – Slot Antenna)
- مقدمه ۵۲
- آنتن نوع اول ۵۳
- ساختار اول: شکاف مستطیلی ۵۳
- ساختار دوم: شکاف L شکل با سه حالت مختلف برای تغذیه ۵۴
- ساختار سوم: شکاف T شکل با خط تغذیه افقی ۵۷
- ساختار چهارم: دو شکافL با دو تغذیه ترکیبی عمودی- مورب ۵۸
- آنتن نوع دوم ۵۸
- آنتن نوع سوم ۶۱
- نتیجه گیری ۶۷
فصل چهارم آنتن میکرواستریپ شبه تكقطبي با دو باند وسیع و قابلیت کنترل پاسخ فرکانسی
- چکیده ۶۸
- مقدمه ۶۹
- طراحی آنتن و مطالعه پارامتری ۷۰
۴-۳-۱ طراحی ونتایج عملی آنتن میکرواستریپ شبه تكقطبي با دو باند وسیع ۷۰
۴-۳-۲ طراحی و نتایج عملی آنتن میکرواستریپ شبه تكقطبي با دو باند وسیع و قابلیت کنترل پاسخ فرکانسی
۸۲
فصل پنجم نتیجه گیری کلی و پیشنهادات برای مطالعات آتی
۴-۴ نتیجه گیری کلی ۸۵
۴-۵ پیشنهادات برای مطالعات آتی ۸۶
مراجع ۸۷
فهرست اشکال
فصل اول آنتنهای میکرواستریپ، تعريف و ساختار آن
شکل ۱- ۱ پیکربندی آنتن میکرو استریپ ساده ۱
شکل ۱-۲ اشكال مختلف براي پچ ميكرواستريپ ۳
شکل ۱-۳ آنتن دوقطبی با تغذيه مجاورتي ۴
شکل ۱-۴ چند نمونه از ساختارهاي آنتن اسلات (شكاف دار) ميكرواستريپي ۵
شکل ۱-۵ انواع آنتن هاي ميكرواستريپي موج رونده ۶
شکل ۱-۶ تغذیه به روش خط میکرو استریپ به فرم لبه و مدار معادل آن ۹
شکل ۱-۷ تغذیه به روش خط میکرو استریپ از طریق شکاف و مدار معادل آن ۹
شکل ۱-۸ آنتن با تغذیه به روش کابل کواکسیال: (الف) شماي آنتن.(ب) مدارمعادل تغذيه ۱۰
شکل ۱-۹ آنتن با تغذيه كوپلاژالكترومغناطيسي: (الف) شماي آنتن. (ب) مدارمعادل تغذيه ۱۱
شکل ۱-۱۰ آنتن با تغذيه روزنهای: (الف) شماي آنتن. (ب) مدارمعادل تغذيه ۱۲
شکل ۱-۱۱ آنتن با تغذیه به روش موجبری ۱۳
شکل ۱-۱۲ خط مايكرواستريپ و خطوط ميدان الكتريكي مربوط به آن ۱۵
شکل ۱-۱۳ ثابت دي الكتريك موثر بر اساس فركانس براي زيرلايههاي متداول ۱۶
شکل ۱-۱۴ طول فيزيكي و موثر آنتن مايكرواستريپ مستطيلي ۱۶
شکل ۱-۱۵ توزيع بار و تشكيل چگالي جريان روي پچ مايكرواستريپ ۱۸
شکل ۱-۱۶ هندسه آنتن پچ مايكرواستريپ مستطيلي ۲۰
شکل ۱-۱۷ هندسه آنتن پچ مايكرواستريپ مستطيلي ۲۳
شکل ۱-۱۸ چگالي جريان معادل در چهار طرف آنتن پچ به همراه و بدون زمين مسطح ۲۴
شکل ۱-۱۹ شيارهاي تشعشعي در آنتن مايكرواستريپ مستطيلي و چگاليهاي جريان مغناطيسي معادل………۲۶
شکل ۱-۲۰ پترن متداول در صفحات E وH مربوط به هر يك از شيارهاي تشعشعي و مجموع هر دوي آنها.۲۶
شکل ۱-۲۱ چگالي جريان روي شيارهاي غير تشعشع كننده در آنتن مايكرواستريپ مستطيلي ۲۷
شکل ۱-۲۲ منحني تغييرات رزيستانس و راكتانس يك آنتن ميكرواستريپ برحسب فركانس ۲۹
شکل۱-۲۳ اثر تغيير در ضخامت و ثابت دي الكتريك روي پهناي باند امپدانسي VSWR<2و كارايي تشعشعي.۳۲
فصل دوم معرفی آنتنهای اسلات میکرواستریپ و تک قطبی چاپی
شکل۲-۱ توزیع میدان روی اسلات ۳۴
شکل۲-۲ آنتن اسلات با تغذيه خط میکرواستریپ: (الف) شماي آنتن و روش انتهای اتصال کوتاه.(ب) روش انتهای اتصال باز ۳۵
شکل۲-۳ روشهای کاهش مقاومت تشعشعی دیده شده توسط تغذيه خط میکرواستریپ ۳۵
شکل۲-۴ پارامترهای مهم در طراحی آنتن اسلات. ۳۶
شکل۲-۵ آنتن اسلات حلقه مربعی ۳۷
شکل۲-۶ آنتن اسلات حلقه مربعی با نمودار منحنی تلفات برگشتی حاصل از پارامترهای بهینه آنتن…………..۳۸
شکل۲-۷ آنتن اسلات حلقه مربعی فرکتالی به صورت شبه جزیره ای و منحنی تلفات برگشتی آن……………..۳۸
شکل۲-۸ آنتن اسلات حلقوی. ۳۹
شکل۲-۹ آنتن اسلات باریک شونده. ۴۰
شکل۲-۱۰ انواع آنتهای باریک شونده.( الف) Vivaldi(ب) LTSA( ج) CWSA ۴۰
شکل۲-۱۱ ساختار آنتن تكقطبي چاپي ميكرواستريپي با پارامترهاي تعريف كننده آن ۴۱
شکل۲-۱۲ آنتن تك قطبي چاپي با پهناي باند افزايش يافته با استفاده از شكافهايي در پچ تشعشعي وصفحه زمين ۴۴
شکل۲-۱۳ نمودار S11 براي مقادير مختلف L1 ( = 1 W1میلیمتر) ۴۵
شکل۲-۱۴ نمودار S11 براي مقادير مختلف L2 ( = 6 W2 میلیمتر) ۴۶
شکل۲-۱۵ نمودار S11 براي مقادير مختلف W2 ( = 1 L2 میلیمتر) ۴۷
شکل۲-۱۶ آنتن تك قطبي چاپي با تغذيه سه شاخهاي ۴۹
شکل۲-۱۷ نتايج اندازهگيري و آناليز رايانهاي پارامتر VSWR براي آنتن تكقطبي ارائه شده در[۲۷ ۴۹
شکل۲-۱۸ پترنهاي تشعشعي اندازهگيري شده در H-plane براي آنتن تك قطبي ارائه شده در[۲۷]، براي فركانسهاي: الف) ۳ گيگا هرتز، ب) ۷ گيگا هرتز، ج) ۱۱ گيگا هرتز و د) ۱۵ گيگا هرتز ۵۰
فصل سوم انواع آنتنهای ترکیبی تک قطبی-شکافدار (Monopole – Slot Antenna)
شکل۳-۱ آنتن تک قطبی- شکافدار با شکاف مستطیلی روی برد FR4: (الف) ساختار آنتن و (ب) نمودار تلفات برگشتی آن ۵۳
شکل۳-۲ نمودار تلفات برگشتی آنتن تک قطبی-شکافدار با شکاف مستطیلی روی زیرلایه با ثابت دی الکتریکی برابر با ۵/۲ و تلفاتی بسیار پایین ۵۴
شکل۳-۳ ساختار آنتن شکافدار با شکاف L شکل و سه حالت مختلف برای خط تغذیه میکرواستریپی…………۵۵
شکل۳-۴ پارامتر تلفات برگشتی برای سه حالت مختلف شکل ۳-۳ ۵۶
شکل۳-۵ پارامتر تلفات برگشتی برای شکل ۳-۳-الف با زیرلایهای با ثابت دی الکتریک ۵/۲و تلفات ناچیز ۵۶
شکل۳-۶ آنتن شکافدار با شکاف T شکل و خط تغذیه افقی: الف) ساختار آنتن. ب) نمودار تلفات برگشتی برای زیرلایه FR4 و ج) نمودار تلفات برگشتی برای زیرلایه با ثابت دی الکتریک ۵/۲ و تلفات پایین ۵۷
شکل۳-۷ آنتن شکافدار با دو شکاف L شکل و یک زوج خط تغذیه ترکیبی عمودی-مورب ۵۸
شکل۳-۸ آنتن ترکیبی تک قطبی-شکافدار مرجع [۳۰]: الف) ساختار آنتن (نمایش از بالا). ب) ساختار آنتن (نمایش از کنار آنتن) و ج) ابعاد و موقعیت قرارگیری دو شکاف مستطیلی و L شکل روی صفحه زمین آنتن. ….۵۹
شکل۳-۹ نمودار تلفات برگشتی آنتن در شکل ۳-۸ با ابعاد مشخص شده در آن شکل برای حالات اندازه گیری و شبیه سازی. ۶۰
شکل۳-۱۰ نمودار تلفات برگشتی آنتن شکل ۳-۸ و مقایسه آن با حالاتی که فقط هریک از شکاف ها در یک زمان وجود دارند. ۶۱
شکل۳-۱۱ ساختار آنتن پیشنهادی نوع سوم ۶۲
شکل۳-۱۲ تلفات بازگشتی آنتن در شکل ۳-۱۱ ۶۲
شکل۳-۱۳ تلفات بازگشتی در سه حالت مختلف(بدون زائده T شکل) ۶۳
شکل۳-۱۴ توزیع میدان الکتریکی در داخل شکاف(بدون زائده T شکل)در : (الف) فرکانس تشدید اصلی شکاف کوچکتر:۱۶۲۰مگاهرتز.(ب) فرکانس تشدید ناشی از اتصال کوتاه کاذب:۲۲۰۰مگاهرتز(نمای پشت آنتن).………..۶۴
شکل۳- ۱۵ جریان سطحی روی زمین آ نتن در باندهای: (الف) .GSM900(ب) .DCS(ج) PCS 64
شکل۳-۱۶ نمودار تلفات بازگشتی آنتن برای طول های مختلف صفحه زمین ۶۵
شکل۳-۱۷ نمودار تلفات بازگشتی آنتن برای طول های مختلف شکاف پایینی ۶۵
شکل۳-۱۸ نمودار تلفات بازگشتی آنتن برای طول های مختلف شکاف بالایی ۶۶
شکل۳-۱۹ نمودار تلفات بازگشتی آنتن برای عرض های مختلف شکاف پایینی ۶۶
شکل۳-۲۰ نمودار تلفات بازگشتی آنتن برای عرض های مختف شکاف بالایی ۶۷
فصل چهارم آنتن میکرواستریپ شبه تكقطبي با دو باند وسیع و قابلیت کنترل پاسخ فرکانسی
شکل۴-۱ آنتن پچ مایکرو استریپی اولیه ارائه شده ۷۰
شکل۴-۲ نمودارVSWR آنتن پچ میکرو استریپی اولیه ارائه شده ۷۱
شکل۴-۳ ایجاد دو اسلات Uشکل در صفحه زمین آنتن میکرواستریپی اولیه ارائه شده ۷۱
شکل۴-۴ نمودار VSWR برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی به ازای مقادیر مختلف HS و ۹٫۵DS= میلی متر ۷۲
شکل۴-۵ نمودار VSWR برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی به ازای مقادیر مختلف DSو ۲۵/۹= HS میلی متر ۷۳
شکل۴-۶ نمودار VSWR برای مکانهای مختلف دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی………۷۳
شکل۴-۷ نمودار VSWR برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی براساس پارامترهای جدول ۴-۱ ۷۴
شکل۴-۸ نمایش توزیع جریانهای سطحی برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی براساس پارامترهای جدول ۴-۱ در فرکانسهای الف: ۶/۱گیگاهرتز، ب: ۳۲/۴گیگاهرتز و ج: ۱/۶ گیگاهرتز………۷۵
شکل۴-۹ نحوه تغییر شکل پچ تشعشعی از حالت مستطیلی به حالت حلقوی ۷۵
شکل۴-۱۰ نمودار VSWR برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ حلقوی براساس پارامترهای جدول۴-۱ ۷۶
شکل۴-۱۱ اضافه کردن استاب T شکل به پچ تشعشعی حلقوی ۷۶
شکل۴-۱۲ نمودار VSWR برای آنتن برای تغییزات LH 77
شکل۴-۱۳ نمودار VSWR برای آنتن برای تغیییرات dx 77
شکل۴-۱۴ نمودار VSWR برای تغییرات مکان بازوهای عمودی در سمت چپ اسلاتهای U شکل در صفحه زمین ۷۸
شکل۴-۱۵ آنتن شبه مونوپول میکرواستریپی با دو باند فرکانسی وسیع ۷۸
شکل۴-۱۶ نمودار VSWR برای آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ با دو باند فرکانسی وسیع. ۷۹
شکل۴-۱۷ توزیع جریانهای سطحی برای آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ با دو باند فرکانس وسیع در سه فرکانس(الف) ۵/۳ گیگاهرتز، (ب) ۲۵/۵ گیگاهرتز و (ج) ۸۵/۵ گیگاهرتز ۷۹
شکل۴-۱۸ نمونه ساخته شده آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ با دو باند فرکانسی وسیع. ۸۰
شکل۴-۱۹ نمودار VSWR بدست آمده از نتایج شبیه سازی و اندازه گیری آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ با دو باند فرکانس وسیع ۸۰
شکل۴-۲۰ پترنهاي تشعشعي صفحهH- وصفحه-E آنتن ارائه شده در شكل۴-۱۱در الف) ۵/۲، ب) ۲۵/۵، گيگاهرتز. ۸۱
شکل۴-۲۱ اضافه شدن اسلات باریک در روی صفخه زمین جهت کنترل پاسخ فرکانسی. ۸۲
شکل۴-۲۲ نمودار VSWR برای آنتن براساس تغییرات پارامتر PS 82
شکل۴-۲۳ نتایج بدست آمده برای مکانهای مختلف PS 83
شکل۴-۲۴ نمودار VSWR برای آنتن به ازای ۸= PS میلیمتر ۸۳
شکل۴-۲۵ نمونه ساخته شده آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ تک بانده وسیع و قابل کنترل توسط اسلات (switch در شکل). ۸۴
شکل۴-۲۶ پترنهاي تشعشعي شبیه سازی شده صفحهH- برای سه آنتن (پچ ساده- تک بانده وسیع- دو باند وسیع) ارائه شده در فرکانسهای الف) ۷۵/۳، ب) ۸۵/۵، گيگا هرتز. ۸۴
فهرست جدولها
جدول۱-۱ مقایسه ی مشخصات سه نمونه از آنتنهای مایکرواستریپ ۷
جدول۱-۲ کاربردهای آنتنهای میکرواستریپ ۷
جدول۲-۱ مقایسه خواص تشعشعی اسلات و پچ ۳۳
جدول۲- ۲ تعيين عرض خط تغذيه ميكرواستريپي با زير لايه هايي از جنس و ضخامت مختلف ۴۲
جدول۴-۱ پارامترهاي ثابت در ساختار آنتن تك قطبي ارائه شده. ۷۰
جدول۴-۲ مقادیر بهینه پارامترهاي موثر در طراحی اسلاتهای U شکل در صفحه زمین ۷۴
جدول۴-۳ بازده تشعشعی و مازیمم گین قابل قبول بدست آمده از شبیه سازی آنتن اول ارائه شده ۸۱
جدول۴-۴ بازده تشعشعی و ماکزیمم گین قابل قبول بدست آمده از شبیه سازی آنتن دوم ارائه شده ۸۳
دیدگاهی بنویسید